CIFRE - Analyse et quantification des dopants actifs dans les couches épitaxiales par spectrosc[...]

Chez STMicroelectronics, nous sommes convaincus que la technologie est un moteur d’innovation et a un impact positif pour les entreprises, les personnes et la société.

En tant qu’acteur mondial des semiconducteurs, nos technologies de pointe et nos composants électroniques sont invisibles mais au cœur du monde d’aujourd’hui.

Rejoignez ST, c’est intégrer une entreprise internationale riche de plus de 115 nationalités, présente dans 40 pays, et rassemblant plus de 50 000 talents passionnés et engagés, tous unis par la volonté de créer et d’inventer la technologie de demain.

Innover demande bien plus que des compétences techniques : cela nécessite des personnes inspirantes, qui savent collaborer avec respect et enthousiasme. Des collaborateurs animés par la passion, prêts à remettre en question le statu quo, à faire avancer l’innovation et à révéler leur plein potentiel.

Venez vivre cette aventure avec nous et contribuez à construire un futur plus intelligent et plus durable, en alliant responsabilité et innovation.

Notre technologie commence avec vous.

A propos de vos missions

Les dispositifs électroniques avancés nécessitent une résistance électrique minimale aux contacts. Pour cela, les matériaux doivent être fortement dopés. Chez STMicroelectronics, ce genre de couches sont déjà utilisées dans certains de nos produits et sont envisagées dans plusieurs produits en développement. La maîtrise de ces couches est cruciale pour garantir la performance et la fiabilité des dispositifs.

La croissance de ces couches est complexe, leur caractérisation rapide et précise en production est un défi. Aucune technique in-line ne permet aujourd’hui de contrôler efficacement la composition et l’environnement chimique de ces dopants. La spectroscopie de photoélectrons X (XPS) a montré son potentiel en mesurant la concentration de carbone interstitiel ou substitutionnel dans SiGeC, remplaçant des méthodes lourdes / off-line comme SIMS/XRD.

• Votre mission sera répartie sur deux équipes au sein de l’usine Crolles 300 mm: développement de procédés avancés par épitaxie et métrologie / caractérisation des matériaux.
• Vous développez et optimisez, sur des réacteurs de pointe, ces couches épitaxiées sur silicium à fort dopage. Les éléments visés sont le phosphore, bore, et l’arsenic.
• En parallèle, vous testez différentes méthodes de caractérisation à l’échelle du nanomètre (XPS, XRD, SIMS…) pour extraire des informations sur la composition et l’environnement chimique de ces dopants.
• Pour remplir cette mission, vous aurez accès aux techniques disponibles dans l’usine et au laboratoire de caractérisation de Crolles 300 mm.

A propos de vous

• Titulaire d’un master 2 ou diplômé d’une école d’ingénieurs, vous avez des connaissances en matériaux, et un goût pour leur caractérisation.
• Vous êtes organisé, dynamique, rigoureux, curieux des procédés industriels et vous avez un bon contact pour gérer des interactions avec plusieurs interlocuteurs.

ENGLISH VERSION

Your Missions

Advanced electronic devices require minimal electrical resistance at contacts. For this, the materials must be heavily doped. At STMicroelectronics, this type of layer is already used in some of our products and is planned for several products under development. Mastery of these layers is crucial to ensure the performance and device reliability.

The growth of these layers is complex, and their rapid and precise characterization in production is a challenge. Currently, no in-line technique allows effective control of the composition and chemical environment of these dopants. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) has demonstrated its potential by measuring the concentration of interstitial or substitutional carbon in SiGeC, replacing heavy/off-line methods such as SIMS/XRD.

• Your mission will be divided between two teams within the Crolles 300mm factory: advanced process development by epitaxy and materials metrology/characterization.
• You will develop and optimize, on state-of-the-art reactors, these epitaxial layers on highly doped silicon. The targeted elements are phosphorus, boron, and arsenic.
• In parallel, you will test different characterization methods at the nanometer scale (XPS, XRD, SIMS…) to extract information on the composition and chemical environment of these dopants.
• To accomplish this mission, you will have access to the techniques available in the factory and the characterization laboratory of Crolles 300 mm.

About you

• You hold a master's degree or a graduate of an engineering school, you have knowledge of materials and a taste for their characterization.
• You are organized, dynamic, rigorous, curious about industrial processes, and you have good interpersonal skills to manage interactions with multiple stakeholders.

ST est fière d’être certifiée parmi les 17 entreprises mondiales « Global Top Employers 2025 » et d’être la première et unique entreprise de semi-conducteurs à recevoir cette distinction.

ST a été distinguée dans ce classement grâce à sa démarche d’amélioration continue, se démarquant notamment par son engagement en matière d’éthique et d’intégrité, de sens et de valeurs, d’organisation et de gestion du changement, ainsi que par sa stratégie commerciale et ses performances.

En France, ST a également obtenu la labélisation Happy Trainee 2025.

Nous cultivons un environnement de travail inclusif et diversifié, où la discrimination n’a pas sa place. Notre ambition est de recruter et de fidéliser des talents reflétant la richesse des sociétés dans lesquelles nous évoluons.

Nous nous engageons à l’équité dans le développement des carrières, les opportunités professionnelles et la rémunération.

Chez ST, nous encourageons les candidats qui ne remplissent pas forcément tous les critères à postuler, car nous croyons en la richesse des parcours variés et offrons de réelles opportunités d’apprentissage et d’évolution. La diversité, l’équité et l’inclusion sont des valeurs fondamentales qui façonnent notre culture d’entreprise.

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