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Organisation/Company Université de Tours Research Field Engineering » Electronic engineering Researcher Profile Recognised Researcher (R2) Leading Researcher (R4) First Stage Researcher (R1) Established Researcher (R3) Application Deadline 31 Mar 2026 - 22:00 (UTC) Country France Type of Contract Temporary Job Status Full-time Is the job funded through the EU Research Framework Programme? Not funded by a EU programme Is the Job related to staff position within a Research Infrastructure? No

Offer Description

Dans cette thèse, des diodes pin (Positive Intrinsic Negative) utilisant du GaN seront fabriquées et caractérisées. Afin de réaliser ce type de diodes, certains défis doivent être relevés, notamment la réalisation d'un contact ohmique à faibles pertes sur du GaN de type p. Cette thèse se concentrera tout d'abord sur l'optimisation du contact ohmique sur le GaN et la caractérisation des interfaces entre les différentes couches de l'empilement, à l'aide d'outils conventionnels (MEB, AFM, mesures CC). Ensuite, en utilisant les conditions optimales de dépôt du contact ohmique, la fabrication et la mesure de diodes à base de GaN à plusieurs échelles seront réalisées. Des mesures CC conventionnelles (I(V ), courant de fuite, capacité de claquage) en fonction de la température et du cyclage seront utilisées pour quantifier la robustesse des diodes fabriquées. De plus, des mesures électriques à basse/moyenne fréquence (DLTS, I-DLTS) seront mises en place pour identifier les pièges de porteurs de niveau profond avec leur concentration dans les différentes couches actives et la corrélation avec les mesures locales (C-AFM) et les mesures DC sera effectuée. Des mesures à haute fréquence seront également effectuées pour évaluer les performances de la diode dans la gamme GHz et ainsi déterminer son potentiel d'intégration dans un circuit micro-ondes. Tout l'équipement nécessaire à ce projet est disponible sur la plateforme technologique CERTeM ( qui est une salle blanche entièrement équipée.

In this thesis, pin diodes (Positive Intrinsic Negative) using GaN will be fabricated and characterized. In order to realize this kind of diodes, some challenges need to be overcome, especially the realization of low losses ohmic contact on p-type GaN. This thesis will firstly focus on the optimization of the ohmic contact on GaN and the characterization of the interfaces between the different layers of the stack-up, using conventional tools (SEM, AFM, DC measurements). Then, using the optimal conditions of ohmic contact deposition, fabrication and measurement of GaN based diodes at multiple scale will be done. Conventional DC measurements (I(V), leakage current, breakdown capability) as function of temperature and cycling will be used to quantify the robustness of the fabricated diodes. In addition, low/medium frequency electrical measurements (DLTS, I-DLTS) will be set up to identify deep-level carriers traps with their concentration at the different active layers and correlation with local measurements (C-AFM) and DC measurement will be done. Measurement at high frequency will also be carried out to access the performance of the diode in the GHz range and thus determine its potential for integration into a microwave circuit. All the equipment required for this project are available at CERTeM technological platform ( ), which is a fully equipped clean room facility and a electrical/physical characterization laboratory, hosted by STMicroelectronics Tours.

Début de la thèse : 01/10/2026

Funding category: Financement d'une collectivité locale ou territoriale