Thèse CIFRE en Épitaxie Avancée et Dopage

STMicroelectronics France recherche un doctorant pour développer et optimiser des procédés d’épitaxie innovants, et comprendre les mécanismes d’incorporation des dopants durant l’épitaxie sur substrats Si et alliages. Le candidat travaillera avec des équipements RP-CVD et des techniques de caractérisation avancées.

Intégré dans le module Engineering CVD de ST, il collaborera avec les équipes R&D et les ateliers pour réaliser les expériences et analyser les résultats.