Ingénieur RF GaN HEMT — Caractérisation et Automatisation

Thales recherche un ingénieur caractérisation de composants RF hyperfréquence à Palaiseau. Vous contribuerez à la caractérisation des transistors GaN HEMT et participerez à la planification et à l’exécution de mesures RF et DC sur des dispositifs destinés à des applications radiofréquences et spatiales.

Vous intégrerez une équipe dédiée au programme GaN, avec des activités de conception, modélisation et instrumentation, afin d’évaluer la fiabilité et les performances des composants tout en