Deep-UV LED Architect: GaN/AlN Digital Alloys

Une entreprise de haute technologie propose une thèse sur les alliages digitaux (Ga

N)n/(Al

N)m pour développer des LEDs capables d'émettre dans l'UV profond. Le candidat idéal possède un M2 en matériaux, nanosciences ou semiconducteurs et acquéra de l'expertise en épitaxie. Le projet est fortement expérimental, impliquant des collaborations avec des laboratoires de recherche. Rejoignez-nous pour participer au développement de la prochaine génération de technologies d'émission lumineuse.

#J-18808-Ljbffr