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CIFRE - Hétérostructures à base de matériaux du groupe IV pour des applications de photodétecte[...]

CROLLES, 38
il y a 5 jours

Chez STMicroelectronics, nous sommes convaincus que la technologie est un moteur d’innovation et a un impact positif pour les entreprises, les personnes et la société. En tant qu’acteur mondial des semiconducteurs, nos technologies de pointe et nos composants électroniques sont invisibles mais au cœur du monde d’aujourd’hui.

Notre technologie commence avec vous

Vous rejoindrez un acteur mondialement reconnu de la recherche en semiconducteurs au CEA‑Leti afin de développer de nouvelles hétérostructures à base de matériaux du groupe IV pour des applications avancées de photodétection. Le travail sera principalement mené au CEA‑Leti à Grenoble, en étroite collaboration avec STMicroelectronics et le laboratoire PGI‑9 du Forschungszentrum Jülich en Allemagne. Le laboratoire PGI‑9 fournira des échantillons ; le/la doctorant(e) n’aura pas à se rendre en Allemagne.

Vos recherches porteront sur la fabrication et la caractérisation d’hétérostructures à base de matériaux du groupe IV pour des photodétecteurs avancés, en utilisant les installations de pointe de salle blanche du CEA‑Leti Grenoble. Afin d’identifier les hétérostructures les plus prometteuses pour les futures technologies de STMicroelectronics, vous comparerez plusieurs nouveaux alliages du groupe IV. Ces matériaux jouent un rôle crucial pour permettre les performances requises dans un large éventail d’applications qui améliorent la vie quotidienne.

Ce poste à forte dimension recherche combine gestion de projet, travail expérimental et analyse de données. Sur le plan de la gestion de projet, vous serez responsable de la réalisation de vos propres échantillons grâce aux capacités avancées de fabrication du CEA‑Leti. Vous fabriquerez des photodétecteurs à partir de wafers de matière brute. Pour cela, et avec le soutien d’experts expérimentés du CEA‑Leti et de STMicroelectronics, vous réaliserez les principales étapes de procédé en salle blanche, telles que la photolithographie, la gravure humide, la gravure sèche et le dépôt de couches minces, en pilotant l’intégralité du flux d’intégration procédé. Une fois les photodétecteurs entièrement fabriqués, vous appliquerez des méthodes de caractérisation reconnues sous la guidance de chercheurs expérimentés, afin d’acquérir une compréhension approfondie des propriétés optiques et électriques pertinentes des matériaux.

VOTRE RÔLE

Ce poste de doctorat offre une opportunité unique de travailler sur un système de matériaux innovant, à l’interface entre la recherche fondamentale et les applications industrielles, en collaboration avec :

  • un laboratoire de recherche fondamentale de premier plan : PGI‑9, Forschungszentrum Jülich
  • un centre de recherche appliquée mondialement reconnu : CEA‑Leti, Grenoble
  • un leader industriel mondial des semiconducteurs : STMicroelectronics

Vos principales responsabilités incluront :

  • Revoir et évaluer de manière critique la littérature scientifique afin de définir les conceptions d’hétérostructures les plus prometteuses
  • Participer à des discussions scientifiques avec une équipe pluridisciplinaire d’experts issus de l’ensemble des institutions partenaires
  • Réaliser différentes étapes de procédé en salle blanche (par exemple : photolithographie, gravure humide et sèche, dépôt) pour la fabrication des composants
  • Caractériser les photodétecteurs fabriqués à l’aide de techniques avancées de mesure optique et électrique
  • Analyser et interpréter les données expérimentales, puis diffuser vos résultats à travers des publications scientifiques et des présentations en conférence

Vous serez pleinement intégré(e) à des équipes de recherche internationales et aurez l’opportunité de construire un excellent réseau professionnel entre le monde académique et l’industrie.

VOS COMPÉTENCES ET EXPÉRIENCES

  • Diplôme de master (ou équivalent) en physique, nanomatériaux, science/ingénierie des matériaux, génie électrique, ou dans un domaine étroitement lié
  • Solides connaissances en physique des semiconducteurs ; une expérience en méthodes de caractérisation (optiques et/ou électriques) constitue un fort atout
  • Maîtrise professionnelle de l’anglais, à l’écrit comme à l’oral
  • Excellentes capacités d’analyse et de résolution de problèmes, avec un esprit rigoureux et scientifique
  • Forte motivation à travailler au sein d’une équipe internationale et interdisciplinaire, et à contribuer activement à une recherche collaborative

ENGAGEMENT EN FAVOIR DE L’ÉQUIPE OU DE L’INCLUSION

Nous cultivons un environnement de travail inclusif et diversifié, où la discrimination n’a pas sa place. Notre ambition est de recruter et de fidéliser des talents reflétant la richesse des sociétés dans lesquelles nous évoluons.

Nous nous engageons à l’équité dans le développement des carrières, les opportunités professionnelles et la rémunération. Chez ST, nous encourageons les candidats qui ne remplissent pas forcément tous les critères à postuler, car nous croyons en la richesse des parcours variés et offrons de réelles opportunités d’apprentissage et d’évolution. La diversité, l’équité et l’inclusion sont des valeurs fondamentales qui façonnent notre culture d’entreprise.

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